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品名：r氧化鋁拋光粉, Alumina polishing powde.氧化鋁拋光粉采用高純氧化鋁作為原料, 在嚴(yán)格粒度分布控制下, ＊小粒度能夠達(dá)到0.3um。晶體呈平板狀、 粒度分布范圍窄、不易產(chǎn)生劃痕、磨削力強(qiáng)。用途：1) 單晶硅片的研磨、拋光。2) 水晶鏡片的研磨拋光。3) 手機(jī)外殼等鋁合金材料及不銹鋼材料的拋光。4) 不銹鋼餐具及其它裝飾材料的拋光。5) 等離子噴涂6)光學(xué)玻璃, 激光晶體, 光學(xué)晶體, 光學(xué)塑料, 半導(dǎo)體, 金屬合金, 陶瓷, 等。7) 塑膠拋光8）大理石拋光、石材拋光9）汽車(chē)漆面拋光10)石英晶體研磨拋光，晶振研磨拋光
無(wú)錫中晶平板狀氧化鋁拋光粉和拋光液使用說(shuō)明書(shū)無(wú)錫中晶材料科技有限公司，氧化鋁拋光液是以微米或納米級(jí)氧化鋁為磨料，再配以濕潤(rùn)劑、表面活性劑、分散穩(wěn)定劑和調(diào)整劑生產(chǎn)的一種研磨拋光材料。適用于各種精密產(chǎn)品及金相切片、手機(jī)殼等研磨拋光。公司開(kāi)發(fā)和經(jīng)營(yíng)的研磨拋光材料系列均為優(yōu)選的磨料，先進(jìn)的制備工藝保證了高質(zhì)量的顆粒呈等積形狀；嚴(yán)格的分級(jí)工藝保證了實(shí)際尺寸與名義尺寸相一致的高比例顆粒，其粒度組成都高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的粒度范圍要求。所有這些研磨拋光材料，粒度、品種齊全，以滿(mǎn)足用戶(hù)各種要求。通過(guò)工藝、設(shè)備、流程控制，保證了高純納米氧化鋁拋光液具有以下優(yōu)越性能：1、晶相穩(wěn)定、硬度高、顆粒小且分布均勻，懸浮穩(wěn)定性好；2、磨削力強(qiáng)、拋光快、光度亮、鏡面效果好；3、研磨效率高，拋光效果好，研磨效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二氧化硅等軟質(zhì)磨料，表面光潔度優(yōu)于白剛玉的拋光效果，切削力強(qiáng)、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。4、適用范圍廣，拋光后容易清洗。 氧化鋁拋光液和研磨材料適用于金相、巖相、復(fù)合材料的高精度研磨及拋光等表面處理：1、手機(jī)殼，陶瓷，玻璃、水晶、光學(xué)玻璃等振動(dòng)拋光（機(jī)器拋光、滾動(dòng)拋光）、手動(dòng)拋光（研磨拋光）等。人造寶石、天然寶石、鋯石、玉石、翡翠、瑪瑙。2、單晶硅片等半導(dǎo)體、壓電晶學(xué)、光學(xué)晶體、光學(xué)玻璃、光學(xué)塑料、計(jì)算機(jī)硬盤(pán)、光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、3、鋁材、銅材、不銹鋼等金屬表面研磨拋光。4、汽車(chē)油漆打磨拋光，樹(shù)脂拋光等，油漆表面、亞克力、非鐵金屬的表面拋光。5、 劃痕去除：寶石、首飾、微晶玻璃、鋁板、鋼板、塑料殼、壓克力等劃傷劃痕；汽車(chē)，船舶等表面油漆出現(xiàn)的輕微劃痕等只要涂上少許拋光液，用海綿布或者拋光墊等在其表面來(lái)回拋磨，很快就光亮如新，無(wú)一點(diǎn)擦痕。推薦配套使用：本公司金相拋光潤(rùn)滑冷卻液，樣品的拋光效果則更加＊＊。使用與用量：推薦用量為1～20％，使用者應(yīng)根據(jù)不同體系經(jīng)過(guò)試驗(yàn)決定＊佳添加量?！?以防少許沉淀，建議使用前先搖勻。◆ 使用時(shí)，以不同濃度并據(jù)不同行業(yè)的需要可用過(guò)濾清潔水加以稀釋?zhuān){(diào)制不同濃度。儲(chǔ) 存：本品需在0℃以上儲(chǔ)存，防止結(jié)塊，在0℃以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效。包 裝：產(chǎn)品包裝有：200毫升/瓶和500毫升/瓶。1 L/瓶、5 L/桶、20 L/桶
這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過(guò)程中，*初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，**性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為**的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的**有效方法。制作步驟依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。
顆粒度均勻一致，在允許的范圍之內(nèi)。純度高，不含有可能引起劃痕的雜質(zhì)。有良好的分散性，以保證加工過(guò)程的穩(wěn)定和**?；瘜W(xué)穩(wěn)定性好，不致腐蝕工件。粉體晶型機(jī)構(gòu)穩(wěn)定，耐磨性及流動(dòng)性好。粒度大的拋光粉，磨削力越大，越適合加工硬度高的材料，反之粒度小的拋光粉適合加工偏軟類(lèi)的材料。所以拋光粉都有一個(gè)粒度分布范圍，平均粒徑(中心粒徑D50)的大小只決定拋光速度的快慢，而**粒徑Dmax決定拋光精度的高低。因此要達(dá)到高精度的表面拋光要求，必須控制拋光粉的粒度分布比例和范圍。
定義：人造磨料的一種。三氧化二鋁(Al2O3)含量在99%以上，并含有少量氧化鐵、氧化硅等成分，呈白色。產(chǎn)品粒度按國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及各國(guó)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，可按用戶(hù)要求粒度進(jìn)行加工。通用粒度號(hào)為 F4~F220，其化學(xué)成份視粒度大小而不同。突出的特點(diǎn)是晶體尺寸小耐沖擊，如果用自磨機(jī) 加工破碎，顆粒多為球狀顆粒，表面干潔，易于結(jié)合劑結(jié)合。
